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半导体将迎来三大变革?ZLM积极布局SiC领域!

2020.01.15

      近日,阿里巴巴达摩院发布“2020十大科技趋势”,这是继2019年之后,达摩院第二次预测年度科技趋势。回望2019年的科技领域,静水流深之下仍有暗潮涌动。AI芯片崛起、智能城市诞生、5G催生全新应用场景……达摩院去年预测的科技趋势一一变为现实。


      达摩院此次预测了芯片、AI、云计算以及量子计算等领域在未来一年的方向,其中,芯片产业将迎来三大变革:体系架构方面,计算存储一体化架构有望满足日益复杂的计算需求,突破芯片的算力和功耗瓶颈;基础材料方面,以硅为代表的半导体材料趋于性能极限,半导体产业的持续发展需寄望于拓扑绝缘体、二维超导材料等新材料;芯片设计方法也需应势升级,基于芯粒(chiplet)的模块化设计方法可取代传统方法,让芯片设计变得像搭积木一样快速。


      三个变化分别代表底层了基础材料到体系结构再到设计模式,这都预示着芯片产业链将迎来一系列巨变。半导体产业数十年经历了多轮变革,现在已经来到了一个新的节点。新材料、新架构、新设计方式的集体涌现正在撬动全产业链的变革。


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      深圳市周励电子科技有限公司(以下简称ZLM)做为国内领先的芯片设计厂商,在敏锐地察觉到新的市场变化后,也积极布局第三代半导体碳化硅(SiC)领域。ZLM多年来专注于电源管理IC及中高压功率器件的研发设计,其主打产品监控复位芯片及Si MOSFET、Si FRMOSFET、SJMOS可广泛应用于消费类电子、智能家电、工业控制、汽车电子等领域,目前已受到行业的高度认可。


      此次ZLM积极布局第三代半导体碳化硅(SiC)领域,也是看到了5G领域快速崛起的契机。5G 产品大多具备高功率、高压、高温等特性,传统的硅 (Si) 原料因无法克服在高压、高频中的损耗,所以已无法满足5G时代的科技需求,这使得碳化硅 (SiC) 开始崭露头角。


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      碳化硅 SiC 是具有独特物理和化学特性的 IV-IV 复合材料,Si 和 C 原子之间的牢固化学键使得其具有高硬度、化学惰性和高效的导热性;牢固的结合还为其提供了较宽的带隙和高的临界(击穿)电场强度。与Si器件相比,SiC器件主要具备三点优势:更低的阻抗,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;更高频率的运行,能让被动元器件做得更小;更高温度的运行,意味着冷却系统可以更简单。


      据Yole预测,到2023年SiC功率器件市场规模预计将达14亿美元,其主要的市场增长机会在汽车领域,特别是EV、混合动力车和燃料电池车等电动车应用市场。受益于中国国内环保政策及意识的不断提高,插电式油电混合车和全电动车的需求正大幅成长。而ZLM正是瞄准这一市场未来快速增长中的诸多机会,积极布局SiC功率器件领域。


      据悉,此次ZLM共发布了SiC MOSFET和SiC SBD 系列产品,SiC MOSFET以650V、900V、1200V、1700V为主要规格,采用沟道自对准工艺制作,器件一致性优异; SiC SBD以650V、1200V 为主要规格,具有低VF,高浪涌电流耐量、极小的反向恢复电荷,大幅降低开关损耗等优势。


      进口替代和下游需求持续增长是功率半导体的长期发展趋势。同时,新能源汽车尚处于产业发展的初期阶段,伴随着电动车渗透率的提高,SiC功率器件也将进入高速成长期。做为国内优秀的芯片设计厂商,ZLM将持续用专业创新的态度提供更多差异化的产品,为芯片国产化建设发力!

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